序号 | 测试项目 | 缩写 | 检测方法 |
A 组 加速环境应力测试 | |||
A1 | 预处理 | PC | J-STD-020; JESD22-A113 |
A2 | 有偏温湿度或有偏高加速应力测试 | THB/HAST | JESD22-A101; JESD22-A110 |
A3 | 高压或无偏高加速应力测试或无偏温湿度测试 | AC/ UHST/TH | JESD22-A102; JESD22-A118; JESD22-A101 |
A4 | 温度循环 | TC | JESD22-A104 |
A5 | 功率负载温度循环 | PTC | JESD22-A105 |
A6 | 高温储存寿命测试 | HTSL | JESD22-A103 |
B 组 加速寿命模拟测试 | |||
B1 | 高温工作寿命 | HTOL | JEDEC JESD22-A108 |
B2 | 早期寿命失效率 | ELFR | 附录 2 |
B3 | NVM 写次数、数据保持和工作寿命 | EDR | AEC Q100-005 |
C 组 封装组合完整性测试 | |||
C1 | 焊线剪切 | WSS | AEC-Q100-001; AEC-Q003 |
C2 | 焊线拉力 | WBP | MIL-STD-883 Method2011; AEC-Q003 |
C3 | 可焊性 | SD | JESD22; J-STD-002 |
C4 | 物理尺寸 | PD | JESD22-B100; JESD22-B108 |
C5 | 键球剪切 | SBS | JESD22-B117 |
C6 | 引脚完整性 | LI | JESD22-B105 |
C7 | X-RAY | X-RAY | / |
C8 | 声学显微镜 | AM | / |
D 组 芯片晶圆可靠度测试 | |||
D1 | 电迁移 | EM | JEDEC JEP001 |
D2 | 经时介质击穿 | TDDB | JEDEC JEP001 |
D3 | 热载流子注入效应 | HCI | JEDEC JEP001 |
D4 | 负偏压温度不稳定性 | NBTI | JEDEC JEP001 |
D5 | 应力迁移 | SM | JEDEC JEP001 |
E 组 电气特性确认测试 | |||
E1 | 应力测试前后功能参数测试 | TEST | 规格书 |
E2 | 静电放电 (HBM) | HBM | AEC-Q100-002; ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 |
E3 | 静电放电 (CDM) | CDM | AEC-Q100-011; ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 |
E4 | 闩锁效应 | LU | AEC-Q100-004; JESD78 |
E5 | 电分配 | ED | AEC-Q100-009 |
E6 | 故障等级 | FG | AEC-Q100-007 |
E7 | 特性描述 | CHAR | AEC-Q003 |
E8 | 电磁兼容 | EMC | SAE J1752/3 RE |
E9 | 软误差率 | SER | JESD89-1; JESD89-2; JESD89-3 |
E10 | 无铅 (Pb) | LF | AEC-Q005 |
F 组 缺陷筛选测试 | |||
F1 | 过程平均测试 | PAT | AEC-Q001 |
F2 | 统计良率分析 | SBA | AEC-Q002 |
G 组 腔体封装完整性测试 | |||
G1 | 机械冲击 | MS | JESD22-B110 |
G2 | 变频振动 | VFV | JESD22-B103 |
G3 | 恒加速 | CA | MIL-STD-883; Method2001 |
G4 | 粗细气泡测试 | GFL | MIL-STD-883; Method1014 |
G5 | 跌落 | DROP | JESD22-B110 |
G6 | 弯曲扭力测试 | LT | MIL-STD-883; Method2024 |
G7 | 芯片剪切 | DS | MIL-STD-883; Method2019 |
G8 | 内部水汽含量测试 | IWV | MIL-STD-883; Method1018 |
H 组 额外特殊要求 | |||
H1 | 振动可靠性 | VLR | PC-9701 |
H2 | 低温储存寿命测试 | LTSL | JESD22-A119 |
H3 | 振动和温度冲击 | STEP | ISO 16750-4 |
H4 | 跌落 | DROP | JESD22-B111 |
H5 | 破坏性物理分析 | DPA | MIL-STD-158 |
H6 | X-RAY | X-RAY | / |
H7 | 声学显微镜 | AM | / |